一样超 芝奇2G/800内存超频测试

　　G.SKILL F2-6400CL5D-2GBNQ细节和SPD分析 　　

　　● 内存模组硬件状况 　　

　　透过侧面观察，可以了解这款产品为双面双rank物理设计，内存模组的用料优秀和做工精湛，排阻和贴片电容以及金手指部分都无可挑剔。 　　

　　为了防止模组损坏，笔者没有拆下紧贴在芯片表面的外壳，也就无从知晓芯片的具体状况。理论上讲，800MHz速度的模组需要配置2.5ns速度的DDR2芯片。

内存模组正反面细节状况

产品标签部分 　　

　　F2-6400CL5D-2GBNQ内存模组的产品标签包含了产品型号、容量、速度、标准运行延迟、工作电压和编号等信息，非常全面。这款内存已经使用符合RoHS要求的无铅工艺和材料制造。

　　● 内存模组SPD分析

CPU-Z显示的内存模组SPD信息 　　

　　CPU-Z 1.40显示的F2-6400CL5D-2GBNQ信息如上图，模组容量、速度、制造商和型号信息完整正确。内存时序表部分包含2套设置，其中包括DDR2-533下时序为4-4-4-10，DDR2-800下时序为5-5-5-15，是主流DDR2-800产品的水平。 　　

　　影响到内存系统性能的原因多样，在外部主要是位于主板芯片组内的或者位于CPU内部的内存控制器决定，内存本身的性能影响因素包括频率和延迟两个方面，其中延迟在应用中将以时序参数的设定来体现。以DDR SDRAM/DDR2 SDRAM的SPD内部规定的时序参数为例，类似“3-3-3-8”的标称中的4个数字的含义依次为： 　　

　　CAS Latency，内存CAS延迟时间。 　　

　　RAS－to－CAS Delay（tRCD），内存行地址传输到列地址的延迟时间。 　　

　　Row－precharge Delay（tRP），内存行地址选通脉冲预充电时间。 　　

　　Row－active Delay（tRAS），内存行地址选通延迟。 　　

　　这是玩家最关注的4项时序调节，在大部分主板的BIOS中可以设定。在AMD K8处理器平台和部分非Intel设计的对应Intel处理器芯片组上，还支持内存模组的CMD 1T/2T Timing调节，通常认为这一部分设定对内存性能影响较大，其重要性等同于CAS Latency设定。