风驰电掣 11款主流DDR2 533内存横向测试
随着Intel LGA775平台的流行,与之搭配的DDR2内存也受到越来越多人的关注。与传统的DDR内存相比,DDR2内存拥有更高的频率和带宽,不过由于上市初期价格昂贵,因此很难得到消费者的认可。可是在Intel与各大内存厂商的共同努力下,DDR2内存的价格一路狂降,目前许多DDR2 533内存比相同容量的DDR内存还便宜,这也使得DDR2发展前景一片大好。
面对市面上琳琅满目的DDR2内存,如何购买成为了一个新的课题。就当前的状况来说,DDR2 533内存要比DDR2 667内存便宜不少,而且许多DDR2 533内存都可以轻松稳定在DDR2 667内存的状态,因此DDR2 533内存更具可买性。为此,我们PCShow评测室专门挑选了包括了威刚(A-DATA)、金士顿(Kingston)、三星(Samsung)、英飞凌(Infineon)、金邦(Geil)在内的11款DDR2 533内存进行横向测试,为你提供更有用的导购信息。
DDR2的定义:
DDR2(Double Data Rate 2) SDRAM是由JEDEC(电子设备工程联合委员会)进行开发的新生代内存技术标准,与DDR相比虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式,但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力(即:4bit数据读预取)。换句话说,DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据,并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。
由于DDR2标准规定所有DDR2内存均采用FBGA封装形式,而不同于DDR内存广泛应用的TSOP/TSOP-II封装形式,FBGA封装可以提供了更为良好的电气性能与散热性,为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了坚实的基础。
DDR2的工作原理:
内存基本工作步骤分为: 从系统预读数据 → 保存在内存单元队列 → 传输到内存I/O缓存 → 传输到CPU系统处理。
DDR2内存cell的工作频率与DDR SDRAM和SDRAM的cell工作频率一样,但是DDR2 SDRAM的I/O缓冲区的工作频率要更高一些。与DDR2与缓冲区连结内存cell的总线带宽是DDR的两倍。与DDR2与缓冲区连结内存cell的总线带宽是DDR的两倍。这样,当I/O缓冲区执行多路技术时:数据沿着一条较宽的总线进入内存cell,然后又通过一条与DDR SDRAM总线位宽相当的总线出来,但它的传输速率却是DDR SDRAM的两倍。
DDR2采用的新技术:
DDR2引入了三项新的技术,它们是OCD、ODT和Post CAS。
OCD
OCD(Off-Chip Driver):也就是离线驱动调整,DDR II通过OCD可以提高信号的完整性。DDR II通过调整上拉(pull-up)/下拉(pull-down)的电阻值使两者电压相等。使用OCD通过减少DQ-DQS的倾斜来提高信号的完整性;通过控制电压来提高信号品质。
ODT
ODT:ODT是内建核心的终结电阻器。我们知道使用DDR SDRAM的主板上面为了防止数据线终端反射信号需要大量的终结电阻。它大大增加了主板的制造成本。实际上,不同的内存模组对终结电路的要求是不一样的,终结电阻的大小决定了数据线的信号比和反射率,终结电阻小则数据线信号反射低但是信噪比也较低;终结电阻高,则数据线的信噪比高,但是信号反射也会增加。因此主板上的终结电阻并不能非常好的匹配内存模组,还会在一定程度上影响信号品质。DDR2可以根据自已的特点内建合适的终结电阻,这样可以保证最佳的信号波形。使用DDR2不但可以降低主板成本,还得到了最佳的信号品质,这是DDR不能比拟的。
Post CAS
Post CAS:它是为了提高DDR2内存的利用效率而设定的。在Post CAS操作中,CAS信号(读写/命令)能够被插到RAS信号后面的一个时钟周期,CAS命令可以在附加延迟(Additive Latency)后面保持有效。原来的tRCD(RAS到CAS和延迟)被AL(Additive Latency)所取代,AL可以在0,1,2,3,4中进行设置。由于CAS信号放在了RAS信号后面一个时钟周期,因此ACT和CAS信号永远也不会产生碰撞冲突。
主板
显卡
显示器
CPU
内存|存储
光存储
机箱|电源
键鼠|摄像
音频
笔记本
台式机
数码相机
手机
MP3|MP4
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